Βιομηχανία παραγωγής καρβιδίου πυριτίου

Σε σύγκριση με τομε βάση το πυρίτιοτα υλικά ημιαγωγών, τα υλικά ημιαγωγών τρίτης γενιάς που αντιπροσωπεύονται από το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) έχουν πολλά πλεονεκτήματα όπως το υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης, η υψηλή ταχύτητα μετατόπισης κορεσμένων ηλεκτρονίων και η υψηλή θερμική αγωγιμότητα.

Οι συσκευές ισχύος από καρβίδιο του πυριτίου χρησιμοποιούνται κυρίως σε πεδία υψηλής ισχύος, όπως οχήματα νέας ενέργειας, αποθήκευση φωτοβολταϊκών ενέργειας, σιδηροδρομική μεταφορά και άλλα πεδία, ειδικά στον τομέα των οχημάτων. Τα επόμενα χρόνια, εφαρμογές όπως οι ενσωματωμένοι κύριοι μετατροπείς και οι μονάδες φόρτισης θα συνεχίσουν να αναπτύσσονται με μεγάλη ταχύτητα.

Επί του παρόντος, οι εγχώριες επιχειρήσεις έχουν επιταχύνει την είσοδό τους στην αλυσίδα της βιομηχανίας καρβιδίου του πυριτίου και οι κεφαλαιουχικές δαπάνες έχουν επιταχυνθεί, επιφέροντας ταχεία ανάπτυξη όλων των κρίκων της αλυσίδας του κλάδου.

Σύμφωνα με την έκθεση της Yole, το μέγεθος της αγοράς των συσκευών ισχύος από καρβίδιο του πυριτίου θα ξεπεράσει τα 6 δισεκατομμύρια δολάρια το 2027, με σύνθετο ετήσιο ρυθμό ανάπτυξης άνω του 30%.

Ισχύς με βάση το καρβίδιο του πυριτίουΗ αλυσίδα της βιομηχανίας συσκευών περιλαμβάνει κυρίως την προετοιμασία υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου ανάντη, την ανάπτυξη επιταξιακού στρώματος, την κατασκευή συσκευών στη μέση και τις αγορές κατάντη εφαρμογών.

Η διαδικασία προετοιμασίας του υποστρώματος είναι κυρίως η σύνθεση σκόνης άνθρακα υψηλής καθαρότητας και σκόνης πυριτίου υψηλής καθαρότητας σε σκόνη καρβιδίου του πυριτίου. Κάτω από ειδικό πεδίο θερμοκρασίας, η μέθοδος φυσικής μεταφοράς ατμών (μέθοδος PVT) χρησιμοποιείται κυρίως για την ανάπτυξη κρυσταλλικών πλινθωμάτων καρβιδίου του πυριτίου διαφορετικών μεγεθών και το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου παράγεται μετά από πολλαπλές διεργασίες.

Ο επιταξιακός σύνδεσμος είναι κυρίως στο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου και το επιταξιακό φύλλο σχηματίζεται στην επιφάνεια του υποστρώματος με τη μέθοδο χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD).

Μεταξύ αυτών, το επιταξιακό φύλλο καρβιδίου του πυριτίου παρασκευάζεται με ανάπτυξη επιταξικού στρώματος καρβιδίου του πυριτίου σε αγώγιμο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, το οποίο μπορεί περαιτέρω να μετατραπεί σε συσκευές ισχύος και να εφαρμοστεί σε οχήματα νέας ενέργειας, φωτοβολταϊκά, σιδηροδρομικές μεταφορές, έξυπνο δίκτυο, αεροδιαστημική και άλλα πεδία. Το επιταξιακό φύλλο νιτριδίου του γαλλίου (GaN-on-SiC) με βάση το πυρίτιο παρασκευάζεται με ανάπτυξη επιταξιακής στρώσης νιτριδίου του γαλλίου σε ημιμονωμένο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, το οποίο μπορεί να παρασκευαστεί περαιτέρω σε συσκευές ραδιοσυχνοτήτων μικροκυμάτων και να εφαρμοστεί σε πεδία επικοινωνίας 5G.

Από τη δομή του κόστους κατασκευής των συσκευών καρβιδίου του πυριτίου, το κόστος του υποστρώματος είναι το μεγαλύτερο, αντιπροσωπεύοντας το 47%. Το δεύτερο είναι το διευρυμένο κόστος, που αντιστοιχεί στο 23%. Αυτές οι δύο διαδικασίες είναι σημαντικά συστατικά των συσκευών SiC.

Δημοφιλείς Ετικέτες: βιομηχανία παραγωγής καρβιδίου πυριτίου, κατασκευαστές βιομηχανίας παραγωγής καρβιδίου πυριτίου Κίνα, προμηθευτές